利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性

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利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性

陈勇,邓宏,姬洪

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陈勇,邓宏,姬洪. 利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性[J]. 分析测试技术与仪器, 2009, 15(1).

引用本文:

陈勇,邓宏,姬洪. 利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性[J]. 分析测试技术与仪器, 2009, 15(1).

CHEN Yong,DENG Hong,JI Hong. Characterization of Structure of GaN Films by High Resolution X-ray Diffraction Analysis[J]. Analysis and Testing Technology and Instruments, 2009, 15(1).

Citation:

CHEN Yong,DENG Hong,JI Hong. Characterization of Structure of GaN Films by High Resolution X-ray Diffraction Analysis[J]. Analysis and Testing Technology and Instruments, 2009, 15(1).

陈勇,邓宏,姬洪. 利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性[J]. 分析测试技术与仪器, 2009, 15(1).

引用本文:

陈勇,邓宏,姬洪. 利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性[J]. 分析测试技术与仪器, 2009, 15(1).

CHEN Yong,DENG Hong,JI Hong. Characterization of Structure of GaN Films by High Resolution X-ray Diffraction Analysis[J]. Analysis and Testing Technology and Instruments, 2009, 15(1).

Citation:

CHEN Yong,DENG Hong,JI Hong. Characterization of Structure of GaN Films by High Resolution X-ray Diffraction Analysis[J]. Analysis and Testing Technology and Instruments, 2009, 15(1).

利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性

陈勇,邓宏,姬洪

电子科技大学,电子薄膜与集成器件重点实验室,四川,成都,610054 ?

中图分类号: O484
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出版历程

Characterization of Structure of GaN Films by High Resolution X-ray Diffraction Analysis

CHEN Yong,DENG Hong,JI Hong

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices;University of Electronic Science and Technology of China;Chengdu 610054;China

摘要: 使用高分辨X射线衍射法(HRXRD)对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长GaN薄膜进行微结构表征.首先采用绝对测量法精确测试了GaN薄膜的晶格常数,由此获得该GaN薄膜的应变与弛豫的信息.采用面内掠入射(IP-GID)法测定了GaN薄膜的位错密度以及位错扭转角.
- 高分辨X射线衍射 /
- 晶格常数 /
- 位错密度 /
- 位错扭转角
Abstract: High-resolution X-ray diffractometry was used to analyze GaN layers grown on sapphire using a metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) method.The crystal structures were determined by the absolute measurement,and the dislocation densities and dislocation torsion angle were determined by the in-plane grazing incidence.
- GaN /

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