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利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性

陈勇,邓宏,姬洪

陈勇,邓宏,姬洪. 利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性[J]. 分析测试技术与仪器, 2009, 15(1).
引用本文: 陈勇,邓宏,姬洪. 利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性[J]. 分析测试技术与仪器, 2009, 15(1).
CHEN Yong,DENG Hong,JI Hong. Characterization of Structure of GaN Films by High Resolution X-ray Diffraction Analysis[J]. Analysis and Testing Technology and Instruments, 2009, 15(1).
Citation: CHEN Yong,DENG Hong,JI Hong. Characterization of Structure of GaN Films by High Resolution X-ray Diffraction Analysis[J]. Analysis and Testing Technology and Instruments, 2009, 15(1).

利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性

详细信息
  • 中图分类号: O484

Characterization of Structure of GaN Films by High Resolution X-ray Diffraction Analysis

  • 摘要: 使用高分辨X射线衍射法(HRXRD)对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长GaN薄膜进行微结构表征.首先采用绝对测量法精确测试了GaN薄膜的晶格常数,由此获得该GaN薄膜的应变与弛豫的信息.采用面内掠入射(IP-GID)法测定了GaN薄膜的位错密度以及位错扭转角.
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